Karakteristik Listrik
| Nilai | Ef(%) | Pmpp(W) | Vmpp(V) | Imp(A) | Vok(V) | Isc(A) | FF(%) |
| 1 | 23.1 | 6.34 | 0.597 | 10.62 | 0.693 | 11.151 | 82.1 |
| 2 | 23 | 6.31 | 0.596 | 10.6 | 0.692 | 11.132 | 82.01 |
| 3 | 22.9 | 6.28 | 0.595 | 10.58 | 0.691 | 11.112 | 81.98 |
| 4 | 22.8 | 6.25 | 0.594 | 10.55 | 0.69 | 11.097 | 81.84 |
| 5 | 22.7 | 6.22 | 0.593 | 10.52 | 0.689 | 11.077 | 81.74 |
| 6 | 22.6 | 6.2 | 0.592 | 10.49 | 0.688 | 11.056 | 81.64 |
| 7 | 22.5 | 6.17 | 0.591 | 10.46 | 0.687 | 11.036 | 81.54 |
| 8 | 22.4 | 6.14 | 0.59 | 10.42 | 0.686 | 11.021 | 81.32 |
| 9 | 22.3 | 6.11 | 0.589 | 10.4 | 0.685 | 11.001 | 81.29 |
| 10 | 22.2 | 6.09 | 0.588 | 10.37 | 0.684 | 10.981 | 81.18 |
| 11 | 22.1 | 6.07 | 0.587 | 10.34 | 0.683 | 10.96 | 81.08 |
| Dalam kondisi pengujian standar: 1000W/㎡,AM1.5, 25℃ Koefisien suhu Koefisien suhu tegangan rangkaian terbuka: -0,36%/K Koefisien suhu arus hubung singkat: 0,07%/K Koefisien suhu daya maksimum: -0,38%/K | |||||||
Karakteristik mekanis
| Dimensi: 166mm×166mm±0,25mm; Ketebalan Sel: 180±20µm |
| Sisi depan: Lapisan anti pantulan senyawa silikon nitrida biru silikon oksida (Bebas PID); Lebar busbar adalah 0,1±0,05mm; Kepala busbar bercabang dua; Jumlah jari adalah 128; Sisi depan sel surya didesain setengah lembaran |
| Sisi belakang: Kontak belakang Passivated Emitter (AIOx dan SiNx dual layer); Lebar dan panjang elektroda Ag adalah 1,1±0,1 mm, dan jumlah busbar aluminium adalah 9; Jumlah jari aluminium adalah 134; |
| Kemampuan solder: (Kekuatan kupas) ≥1,0N/mm Hasil dapat bervariasi tergantung kondisi |
